IT之家 11 月 10 日消息，Micron 美光计划在美国纽约州克莱 (Clay) 建设四座大型 DRAM 内存晶圆厂以满足美国本地对存储半导体供应日益增长的需求。不过根据本月 5 日公布的最终环境影响声明，该项目的建设速度有所放缓。
尽管美光的前置准备（本季度启动初步场地准备）和最终目标（所有晶圆厂 2041 年完工、2045 年底全面投产）都没有发生改变，但四座设施的具体施工起始时间均有一定程度的延后：
Fab 1：原计划 2025Q4 动工、2028Q2 末完工；现计划 2026Q2 动工、2030Q3 完工。
Fab 2：原计划 2028Q3 动工、2030Q4 完工；现计划 2030Q4 动工、2033Q4 完工。
Fab 3：原计划 2033Q3 动工；现计划 2035Q3 动工。
Fab 4：相较原计划延迟一个季度。
而由于整体晶圆厂建设进度的延后，配套托儿所、医疗和娱乐中心的施工启动时间也安排到更晚。
IT之家注意到，美光在今年 6 月与美国政府达成的新版《CHIPS》法案协议中调整了在美 DRAM 产能建设顺序，将克莱园区的优先级置于总部爱达荷州博伊西的第二新晶圆厂之后。
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