华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s

华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术,频率可提升至多 400MT/s
2024年08月21日 10:43 IT之家

IT之家 8 月 21 日消息,随着 ROG、ROG Strix X870 (E) 主板的发布,华硕也一道推出了 NitroPath DRAM 技术。该技术可为高端 DDR5 内存主板提供更强大的内存性能。

华硕表示,NitroPath DRAM 技术通过其独有的布局布线提高内存速度。这种尖端设计通过缩短金手指引脚和优化主板内的信号通路来减少噪音干扰。

信号传输更流畅、噪音和反射更少,意味着用户可在采用 NitroPath DRAM 的主板上实现更高的内存频率,至多可达额外 400MT/s。此外这一设计即使在严苛负载下也能提升系统稳定性。

不仅如此,NitroPath DRAM 也提升了插槽牢固程度,使内存槽拥有更优秀的抗侧向力能力和保持力、更抗内存安装过程产生的磨损,这对需要升级或更换内存条的发烧友而言具有明显价值。

IT之家获悉,华硕在 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 两款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技术。

广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

新浪科技公众号
新浪科技公众号

“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)

创事记

科学探索

科学大家

苹果汇

众测

专题

官方微博

新浪科技 新浪数码 新浪手机 科学探索 苹果汇 新浪众测

公众号

新浪科技

新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯

苹果汇

苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻

新浪众测

新酷产品第一时间免费试玩

新浪探索

提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片