50G-PON发展现状和应用前景分析

50G-PON发展现状和应用前景分析
2024年07月18日 15:07 通信世界网

通信世界网消息(CWW)下一代PON技术,即50G-PON技术,是实现万兆光网的关键技术,其发展现状和应用前景备受关注。相比10G-PON,50G-PON的带宽增长近5倍,参考历史经验,这符合每代际PON容量增加4~5倍的发展规律,这样的容量增长也能够满足创新业务对网络带宽发展的需求。

50G-PON将成为赋能企业办公、园区生产制造、智慧家庭、数字城市等领域的光接入网技术。根据PON技术发展历史,相邻代际的光接入技术部署时间间隔为7~8年,在产业和政策的助推下,50G-PON技术日趋成熟、主体标准日益完善,预计将在2025年前后实现商用。

50G-PON几个关键技术问题取得进展

功率预算

50G-PON需要利用现有PON网络的ODN,实现N1(29dB)、C+(32dB)等级的功率预算,支持至少20km的光纤传输距离。50G-PON线路速率相比10G-PON提升5倍,而随着传输速率的提高,链路色散代价也增大,50G-PON色散容限只有10G-PON的1/25。此外,有研究表明,线路速率提高,光发射机的发射功率随之增大,会产生非线性效应,因此对系统设计提出新的挑战。

为了满足50G-PON系统的功率预算,需要在发送端增强光信号发送功率,同时在接收端提高器件接收灵敏度,多种技术结合方可实现链路功率预算。

在系统发射端,根据ITU-T标准,为满足C+(32dB)等级的功率预算,克服色散对系统的影响,OLT侧发送光功率需要≥8.5dBm。OLT发射端可以增加半导体光放大器(SOA)结构的电吸收调制激光器(EML)芯片数量,参考D(35dB)等级XGS-PON相似的OLT发射端结构,通过采用集成SOA的EML激光器,提供超过10dBm的发射功率。在ONU侧,其上行波长在光纤零色散波长区(US1)或负色散区(US2)附近。其中,US3的窄波长波段选项是在ITU-T的G.9804.3 Amd1修订标准中引入的,这个波长带位于GPON和XGS-PON波段之间,允许PON系统的三代共存,如图1所示。

图1 50G-PON波长规划图1 50G-PON波长规划

相比OLT侧,ONU侧能够采用更简单的光器件,如采用直接调制激光器(DML),以进一步降低终端成本。但根据ITU-T标准要求,对称速率50G-PON系统ONU侧发射功率接近7dBm,如采用低成本DML方案,ONU侧需要配置高功率DML激光器。此外,如ONU上行波长在US3的窄波长带(1286±2nm),为确保上行波长稳定并性能最优,光模块内需要增加TEC以实现模块内部温度控制较优的稳定性。

在系统接收端,50G-PON采用高性能光探测器,以进一步提高接收灵敏度,实现链路功率预算指标。目前业界倾向于在接收端采用APD探测器,并研究通过优化APD材料体系(如采用Ge/Si等)提高接本较高,尚未有成熟的产品。

为进一步提高链路光功率预算,50G-PON系统收灵敏度,当前25G APD已较为成熟,但50G APD产业链仍未完善,处于样品阶段。此外,也有研究人员采用“PIN+SOA”组合的方案提高接收灵敏度,目前PIN产业链能够满足50Gbit/s带宽需求,但与SOA集成的方案工艺复杂且成的上下行FEC采用低密度奇偶校验(LDPC)码,替代之前PON系统采用的里德-所罗门(RS)码。在下行方向,FEC对于所有ONU强制开启;在上行方向,FEC默认开启,并可由OLT控制关闭。

目前,业界为提升50G-PON功率预算,在系统收发侧采用多项关键技术,包括引入SOA、采用高灵敏度APD、部署LDPC FEC等,并已在实验室对系统N1和C+等级功率预算进行了验证,取得显著进展。但仍需完善核心光电器件(如50G DML、50G APD、BM-DRV、BM-TIA等)产业链,提高光电器件产品的性能,以形成规模、降低成本。此外,50G-PON将采用高功率器件,这也将进一步提高系统功耗和对散热效率的要求,系统性能有待研究并优化。

多代共存

多代共存是运营商非常关注的50G-PON系统关键技术能力。目前,GPON系列和EPON系列光接入网已大量部署,而支持多代共存的50G-PON系统能够在网关侧设备无需改动的情况下升级局端设备,降低运营商机房空间占用率,节省现网投资。目前支持多代共存的50G-PON,上行波长方案已收敛至1286nm±2nm,能够支持GPON系列三代共存和EPON系列两代共存。其中,GPON系列支持G/XG(S)/50GPON三代共存;EPON系列由于早期部分ONU激光器频宽较宽(1260nm—1360nm),与50G-PON上行波长冲突,因此,目前支持两代共存,三代共存方案仍在研究中。

在共存实现方式上,运营商多采用内置合波(即在50G-PON光模块内集成MPM合分波组件)的方式。多代共存时,50G-PON上行波长(1284nm—1288nm)与GPON上行波长(1290nm—1330nm)仅间隔2nm区间,需要实现30dB高隔离度,对内置的合分波器件要求极高,对光模块封装方式也有很高要求,需要模块厂商优化光模块的结构设计,提升工艺水平。

在业界持续攻关下,目前已有器件厂商研制出高隔离度的合分波器件产品,并在系统方面也取得进展,业界已相继完成50G-PON系统三代共存能力验证和三代共存速率验证,取得预期成效。但在共存方面仍有难关需业界攻克,如多代共存使用的高性能合分波器件、模块选择性较少等,供应链也有待完善;同时,支持三代共存的50G-PON光模块需要内置“3发3收”六向合波的MPM器件,而多模光模块如何实现小型化,以进一步提高系统密度并降低功耗也是一大难点。此外,目前用于验证多模50G-PON系统的商用测试工具仍不完备,如商用支持多模50G-PON系统测试的光功率计仍然缺失,影响系统精度验证,需加快研发进度。

多速率突发接收

ITU-T标准确定了三种50G-PON系统上行速率,分别是12.5Gbit/s、25Gbit/s和50Gbit/s。这意味着PON系统需要在不同的上行速率的ONU之间动态接收,满足不同用户或应用场景的需求。50G-PON首次引入数字信号处理器(DSP)均衡技术,动态补偿不同速率和位置的ONU在接入系统时所受到线路损伤的差异。此外,有研究表明,部署DSP能够降低系统对光器件带宽的要求,在ONU侧部署使用25G光器件和DSP,能够补偿色散对下行链路的影响以实现系统的链路预算。ITU也在制定50G-PON标准时提出评估发射机的新指标TDEC(发射机和色散眼图闭合),用于关注背靠背及长距离传输后线路损伤导致的功率裕量损失,尤其关注采用均衡后的信号眼图闭合现象。TDEC、ER与灵敏度指标综合评估,能够使制造商更加灵活地选择系统配置。DSP的部署对实现50G-PON系统多速率突发接收起到关键作用。

参考国内50G-PON产业发展,50G-PON系统上行速率已收敛到25Gbit/s(非对称)和50Gbit/s(对称)双速率。为了提升系统性能,在OLT侧,通过引入DSP技术,实现了对多速率上行突发信号的动态均衡。在ONU侧,通过引入轻量化的DSP,降低了器件带宽的限制,并能够有效地补偿下行色散等因素对链路造成的影响,提高系统功率预算。当前,50G-PON系统的DSP产业链借鉴了数通产业链的技术产品,但OLT侧的DSP需要支持多模突发时钟恢复和突发动态均衡等功能,目前高性能DSP产品的可获得性仍然不足,这对设备厂家的自主研发能力提出了挑战。此外,随着DSP的加入,系统的成熟度以及可能带来的成本、功耗影响也需要进一步评估。

主体标准制定工作基本完成,现网试点持续开展

在国际上,ITU-T SG15的光纤接入网络光系统研究组(Q2)早在2016年便启动了后10G-PON项目研究,其研究项目ITU-T G.Sup64于2018年完成并发布,研究了后10G-PON的各种可行性路线及其关键技术。2018年的ITU-T SG15会议经过多次讨论,最终确定将50G-PON作为下一代PON系统代际技术,并建立新的G.HSP(G.Higher Speed PON)系列标准项目,体系内主要技术标准包括G.9804.1面向网络基本需求、G.9804.2面向TC协议层、G.9804.3面向物理层。系列标准第一版(包括需求标准及修订G.9804.1Amd1、通用协议层标准G.9804.2及物理层标准G.9804.3)于2019年4月在ITU-T SG15全会上正式通过,标志着50G-PON的基础功能完成标准化。此后,系列标准的完善工作持续开展,截至2024年4月,50G-PON系列已增补需求补充、物理层对称指标、协议层以及共存等相关标准,并陆续完成发布。至此,50G-PON的国际标准研制主体工作已基本完成。

在国内,中国通信标准化协会(CCSA)的TC6工作组也早在2017年便开展了下一代PON的技术研究工作,并于2020年开始50G-PON系列标准研制。截至2024年4月,50G-PON系列行业标准(包括总体、物理层、TC层等)已在TC6WG2完成并发布。在模块器件方面,50G单模、10G/50G双模光模块的行业标准已在TC6WG4完成报批,三模光模块[G/XG(S)/50G]标准已立项,处于征求意见稿编制阶段。此外,CCSA TC615WG全光垂直行业工作组也立项“50G-PON垂直行业应用技术研究”的课题,探索50G-PON可率先应用赋能的垂直行业领域。

国际和国内50G-PON主体标准的完成为产业链上下游全面推进50G-PON商用创造了条件。全球众多运营商也积极开展50G-PON技术验证,中国电信、中国移动、中国联通、瑞士电信、法国电信等30多家运营商相继开展50G-PON试点。在国内,三大运营商自2021年起便积极通过试点验证50G-PON的各个发展阶段,我国50G-PON现网试点情况如图2所示。

图2 我国50G-PON现网试点情况图2 我国50G-PON现网试点情况

需求驱动、政策推动,宽带网络向万兆挺进

“十四五”规划明确提出要推广升级千兆光网。截至2023年底,我国千兆网络加速普及,千兆及以上宽带用户达1.63亿户,占总用户数的25.7%。在网络建设方面,我国已建设具备千兆网络服务能力的10G-PON端口数达到2302万个,千兆光网具备覆盖超过5亿户家庭的能力。千兆光网的快速发展带动产业链持续繁荣,并进一步推动家庭及行业应用的创新发展,沉浸式家庭应用开始涌现,智慧城市和智慧园区加速创新,用户体验要求和对网络的需求同步提升。以沉浸式“裸眼3D”为例,84视点的4K分辨率压缩数据流需要2.7Gbit/s的吞吐量,如视点分辨率提升至8K,则网络带宽将大于10Gbit/s。应用创新、更优的用户体验需求推动宽带网络向万兆光网迈进。

50G-PON作为万兆光网的关键驱动技术,可以为每个接入点提供超过10Gbit/s的超高带宽、实现微秒级的系统传输时延和抖动、支持至少为1:64的物理最大分路比,并可以重用现有的ODN基础设施,与现有PON网络共存。50G-PON的新特性使它能够用于承载FTTX各类场景服务,满足创新应用(如虚拟现实、增强现实等沉浸式应用)的网络需求和用户体验要求,还将为物联网、大数据、云计算、AI等技术的发展提供坚实的网络基础,赋能行业应用创新,引领万物的光纤互联,因而具有广阔的应用前景。根据Omdia预测,新兴应用不断涌现将推动新一代PON网络的需求不断增长,促使50G-PON在2030年前保持高速发展,预计2024—2029年,亚洲地区50G-PON OLT端口出货量年复合增长率将达到90%,50G-PON投资占比逐年增高。

我国政府也高度重视万兆光网的发展,多次提出加大以50G-PON为代表的万兆光网研发力度。目前,已有多地政府出台具体措施助推万兆光网发展。北京于2023年9月发布《“光网之都,万兆之城”行动计划(2023—2025年)》,计划到2025年成为以万兆光网为基础的网络能力领先、创新应用领先、前沿示范领先的“全光万兆”样板城市。上海市于2024年5月启动“‘光耀申城’万兆启航行动计划(2024—2025年)”,目标是到2025年建成万兆光网基础设施体系,同时明确了50G-PON端口发展规模,并计划在新建住宅、商务楼宇以及产业园区全面部署50G-PON。

50G-PON作为万兆光网的关键驱动技术,能够满足不断增长的网络应用需求。未来其应用将不仅围绕家庭超宽带业务接入,还将围绕垂直行业的不同领域赋能企业数字化转型。此外,50G-PON的部署还将带动光通信产业模块、器件、设备、管理方式的全面升级,促进整个光通信产业链的技术革新和发展,创造新的市场机遇。目前,50G-PON的功率预算、多代共存、多速率突发接收等几项关键技术已取得显著进展,产业界正在加速完善核心光电器件产业链,深入优化系统性能,为后续的规模商用部署提供完备的技术支撑,预计50G-PON将在2025年前后迎来商用部署,光接入网将进入万兆时代。

*本篇刊载于《通信世界》7月10日*

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