外媒:台积电或扩大美国投资,管理层已制定2nm芯片计划

外媒:台积电或扩大美国投资,管理层已制定2nm芯片计划
2021年05月14日 16:07 界面新闻

原标题:外媒:台积电或扩大美国投资,管理层已制定2nm芯片计划

路透5月14日消息,知情人士向路透表示,台积电正考虑扩大美国亚利桑那州先进制程芯片厂的投资,金额高于先前揭露水准,但其看淡在欧洲设立先进制程厂的前景。台积电去年宣布将在凤凰城投资100-120亿美元兴建芯片工厂。

路透本月曾报道,此前披露的那座工厂可能是在选定厂址上计划建造的六座工厂中的第一座。目前,公司高管正在讨论下个工厂是否应该是更先进的工厂,能制造采用3纳米技术的芯片,而不是第一座工厂采用的5纳米技术。

一位知情消息人士告诉路透,技术更先进的3纳米工厂成本可能介于230亿至250亿美元。消息人士还表示,管理层还制定了台积电制造下一代2纳米和更小芯片的计划,因凤凰城厂区将在未来10-15年建成。

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