研究人员研发出超低损耗的氮化硅集成光子电路_新浪科技

原标题：研究人员研发出超低损耗的氮化硅集成光子电路来源：cnBeta.COM

EPFL的科学家们已经开发出了超低损耗的氮化硅集成电路（IC）。这种集成电路对光子设备至关重要，如芯片级频率梳、窄线宽激光器、相干激光雷达和神经形态计算，以及其他用途。这种类型的集成电路可以将信息编码成光，通过光纤传输，并被描述为光通信的一个核心组成部分。

由EPFL团队创造的集成电路的损耗为1dB/m，是非线性集成光子材料的纪录值。研究人员说，这种类型的超低损耗对于允许使用片上波导合成、处理和检测光信号的集成光子学来说至关重要。这种低损耗将减少用于构建若干应用中的芯片级光频梳的功率预算。

新技术可以以创纪录的低光损耗和小尺寸构建氮化硅集成光子电路，用来在一个5×5平方毫米的芯片上使用高质量因子的微谐振器开发一米长的波导。研究人员还报告说，他们的技术支持很高的制造产能，据说对工业生产至关重要。

光频锥的应用包括相干光收发器、低噪声微波合成器、LiDAR、神经形态固定计算和光学原子钟。该项目研究人员指出，他们期待看到他们的芯片设备被用于新兴的应用，包括相干激光雷达、光子神经网络和量子计算。这类芯片通常由硅制成，但新技术的突破是基于氮化硅，目前还不清楚这些新的集成电路何时可能被集成到商业化的产品中。