台积电获支持:力争2030年前进入埃米工艺时代

台积电获支持:力争2030年前进入埃米工艺时代
2021年04月16日 15:56 cnBeta

原标题:台积电获支持:力争2030年前进入埃米工艺时代 来源:快科技

比纳米更小的长度单位的是埃米,1埃米是0.1nm。当前,硅芯片已经实现5nm大规模量产,看起来推进到1nm并不远。据媒体最新报道,以台积电为代表的半导体厂商已经获得支持,并被期许在2030年前量产1nm以下工艺。

为协助台积电、稳懋、华邦、日月光等提前布局12寸晶圆制造利基设备,现正规划推动高雄半导体材料专区,建立南部半导体材料S廊带,旨在掌握关键化学品和材料优化参数,建立战略供应链。

有观点将2030年定义为超摩尔定律时代,IC产品迈向多元化和极致效能,并进入埃米尺度。

从头部核心设备光刻机的角度,ASML目前公开的路线图最远规划到型号EXE:5200,数值孔径0.55NA,硅片、曝光洁净室逼近物理极限。

按照ASML的说法,现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱,而1nm时代光刻机还要比3nm还大一倍左右。

台积电光刻机
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