联发科5G旗舰天玑1200芯片发布,台积电6nm制程工艺

联发科5G旗舰天玑1200芯片发布,台积电6nm制程工艺
2021年03月31日 14:56 品玩

原标题:联发科5G旗舰天玑1200芯片发布,台积电6nm制程工艺

品玩3月31日讯,在今日下午举行的Realme GT Neo发布会上,联发科5G旗舰天玑1200芯片首次亮相。据介绍,天玑1200芯片采用台积电全新升级的6nm制程工艺,晶体管密度提升18%,功耗降低8%,A78的超大核心,最高主频达到3.0GHz,性能提升30%,功耗降低25%;相比较于上一代,天玑1200整体性能提升22%,能效提升25%,同时支持双通道UFS3.1,满血版的5G网络体验,三年不过时。

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