原标题:台积电2nm芯片取得重大研发进展,2024年可实现量产
品玩9月25日讯,台积电在2nm制程芯片工艺研发方面取得重大突破。从供应链来看,与3nm和5nm鳍型场效应晶体管(FinFET)架构不同,台积电的2nm是采用一种新的多桥道场效应晶体管(MBCFET)架构。
台积电一位高管对台湾刊物表示,“我们乐观预计2023年下半年风险试产收益率将达到90%,这将有助于我们未来继续赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”,并进一步指出,量产将于2024年开始。台积电去年成立了2nm项目研发团队,寻找可行的发展路径。考虑到成本、设备兼容性、技术成熟度和性能等条件,2nm采用了基于环绕门(GAA)工艺的MBCFET。该结构解决了FinFET工艺收缩引起的电流控制泄漏的物理限制。
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