据美通社,台媒称,台积电2nm制程研发获重大突破。区别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,此种架构能解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,研发进度超前。
以台积电2nm目前的研发进度研判,供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产,2024年正式量产。有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单。
“掌”握科技鲜闻 (微信搜索techsina或扫描左侧二维码关注)
新浪科技
新浪科技为你带来最新鲜的科技资讯
苹果汇
苹果汇为你带来最新鲜的苹果产品新闻
新浪众测
新酷产品第一时间免费试玩
新浪探索
提供最新的科学家新闻,精彩的震撼图片