国盛通信｜后800G时代优选—“光学硅”薄膜铌酸锂

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光模块产业在AI拉动下有望迎来持续高增长。传输速率升级与代际提升进度明显加快。更快的产业升级速度对于光模块厂商的交付能力，以及光模块产品的成本/功耗都提出了更高要求，对于材料的要求也进一步提高。

薄膜铌酸锂—“光学硅”。铌酸锂材料是可靠材料中电光系数最优的选择（考虑居里点和电光系数）。薄膜工艺拉进电极距离，降低电压提升带宽电压比。相比其他材料兼具大带宽/低损耗/低驱动电压等诸多光电最需要的优点。

AI时代，补足“通信墙”提高传输速率成为重中之重。由于AI的拉动，网络侧的升级迭代速率有望显著加速。原因有两点：

1.算力芯片升级加速。AI需求可能因为模型侧升级和应用层推进迎来爆发奇点。同时“GPU—算力核心”的激烈竞争会进一步促进算力芯片的升级迭代。

2.算力集群运行，对通信传输的要求甚至更高于算力本身的增长。未来几年，800G向1.6T/3.2T升级的进度有望明显快于市场预期。

速率升级后材料特性差异体现明显，薄膜铌酸锂有望实现份额跃升。当前800G主流方案包括DR8/SR8/2FR4等方案，无论单模或者多模，较多使用单通道100Gbps速率。而当切换到1.6/3.2T阶段，有望向单波200/400G演进。TFLN（薄膜铌酸锂）的大带宽优势将更加突出。未来对于成本、功耗、性能等要求会越来越高，而薄膜铌酸锂调制器凭借功耗/成本/性能等多个优势，有望随着速率升级，迎来份额明显提升。

薄膜铌酸锂调制器市场空间广阔，有望超过百亿。相干光通信网络不断下沉，市场规模有望快速扩张。据CignalAI预测，2024年全球高速相干光调制器出货量将达到200万端口。按照每个端口平均需要1～1.5个调制器，若薄膜铌酸锂调制器体渗透率可达50%，对应的市场空间约82-110亿元。

薄膜铌酸锂调制器有望替代部分InP以及硅基SiPh市场份额，在未来1.6T/3.2T以上市场有望伴随AI拉动，迎来高速发展期。

技术工艺难度高，参与厂商有限，竞争格局可观。铌酸锂调制器设计难度大，工艺复杂，技术门槛高，主要玩家包括日本的富士通（Fujitsu）和住友（Sumitomo），美国Lumentum的铌酸锂调制器生产线（2019年由光库科技收购），以及国产优质厂商铌奥光电、宁波元芯等。

投资建议：薄膜铌酸锂调制器：光库科技等。TFLN薄膜铌酸锂方案光模块厂商：中际旭创、新易盛、联特科技、德科立等。

风险提示：AI发展不及预期，算力需求不及预期，相关技术研发进度风险。

本文节选自国盛证券研究所已于2023年11月28日发布的报告《国盛通信｜后800G时代优选—“光学硅”薄膜铌酸锂》，具体内容请详见相关报告。

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