东微半导成功发行，致力于成为领先的功率半导体厂商|IGBT_新浪财经

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苏州东微半导体股份有限公司（以下简称：东微半导）是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。日前，公司已成功在上海科创板发行。

公司的产品有高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及IGBT。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、光伏逆变器、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

重视前沿技术研发，产品技术指标领先

东微半导一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及研发体系。截至2021年6月30日，公司研发人员占员工总数比例为46%。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能够紧跟行业发展趋势，满足客户终端产品的创新需求。

凭借优秀的研发实力，公司多类产品的性能指标达到领先的水平，并形成了多项核心技术。在此基础上，实现了高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET产品和新型Tri-gate IGBT产品的量产与销售。公司的高压超级结MOSFET产品运用了包括电容缓变技术、超低栅极电荷等行业领先的核心技术，使关键技术指标达到了与领先厂商可比的水平。在中低压领域，公司的产品技术水平亦达到了国内领先水平。公司的超级硅系列MOSFET产品已经研发成功并实现量产出货，实现了比传统超级结更高的效率，获得了众多客户的认可。

公司的IGBT技术采用了新型Tri-gate 结构IGBT器件设计。根据其招股说明书描述，Tri-gate 结构IGBT器件设计及其工艺技术使用具有独立知识产权的创新性结构以实现IGBT性能的提升，具体包括载流子控制技术、原胞功率调制技术以及独创的器件结构等。基于上述核心技术，公司IGBT产品的导通压降与开关速度同时得到优化，在关键技术参数上有着大幅的提高，在应用过程中拥有发热低、效率高的优势，可使整体应用系统的功耗更低，并拥有高功率密度、低开关损耗、高可靠性以及自保护等优势。目前，产品已在光伏逆变、储能、充电桩模块、电机驱动等领域批量出货。

报告期内，公司累计研发投入6055.89万元，占营业收入的比例为6.19%。截至2021年6月30日，公司已获授权的专利53项，包括境内专利38项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。

产品市场份额靠前

功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。东微半导已自主研发了逾900种高压MOSFET产品型号并覆盖500V-950V区间的工作电压；以及逾500种中低压MOSFET产品型号，覆盖25V-150V区间的工作电压。此外，公司还自主研发了38款Tri-gate IGBT产品。

得益于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被广泛应用于各类工业级及消费级领域，包括新能源汽车直流充电桩、新能源车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等。

公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累了众多的知名终端品牌客户，在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等；5G基站电源及通信电源领域的终端用户如华为、维谛技术、麦格米特等；工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。在2021年，公司产品开始批量进入比亚迪等新能源车龙头企业。

持续聚焦创新型高性能功率半导体产品

根据Omdia分析，2020年度全球高压超级结MOSFET产品的市场规模为9.4亿美元，并将于2024年达到10.0亿美元。采用超级结结构的高压MOSFET相对于普通高压MOSFET具有更高的成长性，预计在高压MOSFET市场的占比将持续提升。

2020年度，全球中低压MOSFET产品的市场规模为52.4亿美元，2024年的市场规模预计为49.2亿美元。

在全球汽车电子缺芯的情况下，东微半导适时募投扩产，有望赶上行业好时机。

公司本次IPO募投项目包括：超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金。

其中，超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目基于公司深槽超级结技术以及屏蔽栅技术的丰富积累，对高压超级结MOSFET产品及中低压屏蔽栅MOSFET产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。该项目为公司原有业务的延展和深化旨在继续加强技术积淀，保持在高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET领域的优势，挖掘高性能和高可靠性产品的潜力，打造全系列功率半导体产品的技术创新平台。

新结构功率器件研发及产业化项目依托公司在功率器件领域多年的研发及技术积累，拟在未来三年陆续推出下一代高速IGBT和超级硅MOSFET以及新一代高速大电流功率器件产品。前述产品可广泛应用于5G基站、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变器等细分领域。项目实施后，将助力公司拓展更丰富的产品线，扩大在高性能功率器件领域的市场份额。

研发工程中心建设项目则在SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行布局，有助于提升公司创新水平和技术成果转化效率，营造良好的实验环境，吸引高端技术人才的加入，加快科研成果转化，为公司的可持续发展提供更有力的技术支撑。

东微半导始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司创新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品、中低压MOSFET器件产品和IGBT产品领域得到了充分的证明。未来，公司将持续聚焦于更多创新型高性能功率半导体产品开发和量产，致力于成为领先的功率半导体厂商，并进一步深化与上下游优秀合作伙伴的合作加速更多高性能功率芯片产品的国产化，为我国新能源产业提供更多可媲美进口芯片的产品。

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