原标题：台积电2nm芯片研发获得重大突破，有望2023年推出 来源：OFweek通信网
近日，据台媒透露，台积电2nm采用全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，区别于以往3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，目前研发已取得重大突破，有望于2023下半年年推出。
此前台积电5nm已经量产，3nm预计2022年量产，如今2nm研发现取得重大突破，并有望量产。
对此，市场人士分析，台积电新研发的2nm有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。
去年6月，台积电正式宣布启动2nm工艺的研发。
长久以来，半导体制造业三大巨头企业台积电，与英特尔、三星，在芯片制程逐渐缩小的路上，拼命追赶。
英特尔坚持在14nm，10nm制程上的研发之时，三星和台积电已经把5nm量产提上了日程，目前公开称有5nm芯片制造能力的只有台积电和三星两家。
台积电在2nm研发上切入全环栅场效应晶体管GAA时，三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并对外喊话称：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位。
海量资讯、精准解读，尽在新浪财经APP
APP专享直播
热门推荐
收起
新浪财经公众号
24小时滚动播报最新的财经资讯和视频，更多粉丝福利扫描二维码关注（sinafinance）
