7纳米EUV正式量产!能耗比再提升,海思、高通已跃跃欲试

7纳米EUV正式量产!能耗比再提升,海思、高通已跃跃欲试
2019年05月26日 11:42 雷科技

  对半导体行业来说,制程工艺可谓是关键中的关键。对芯片来说,密度更大、更先进的制程工艺有助于提升发热控制,换言之甚至能做到提升性能但功耗却减少。目前字面上最先进的制程工艺是台积电和三星的7纳米工艺,但这还不是终点。

日前,台积电宣布,7纳米EUV(极紫外光刻技术)工艺正式达到量产要求,目前的良率已经达到了和7纳米技术初代相当的水准,年内还将不断优化。台积电预计,今年会有100万块300毫米晶圆被生产出来,对比去年猛增150%。

EUV技术不是什么神奇“BUFF”,而是另一种光刻方式。未来想要继续往前推进制程工艺升级,传统的光刻技术已经难堪大任,EUV技术成为了唯一的出路。

  虽然三星也已经宣布7纳米EUV技术将会在今年下半年量产,但在时间上还是让台积电抢先了一步。这意味着台积电在半导体代工中再次占得了先机,在和三星的比较中占得上风。

目前来看,即将推出的海思麒麟985处理器很可能是首款采用7纳米EUV工艺的芯片,正如去年麒麟980首发7纳米工艺那样。不过,苹果A13处理器应该也会采用台积电7纳米EUV技术,接下来是年底推出的高通骁龙新旗舰芯片等。

按照台积电的计划,下一代5纳米工艺也在积极准备之中,最早于2020年将进行量产。除此之外台积电还推出了过渡性工艺6纳米,将成为7纳米和5纳米之间的折中方案。

  不过随着密度不断加大,现有的制程工艺已经逼近物理极限,到最后逼近1纳米的时候,想继续往上突破便变得非常艰难,可能只有更换硅基材质才能解决。可想而知,届时半导体行业将面临重大危机,但如何突破困境,也是看点之一。

纳米 能耗 台积电

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