追赶美国Intel！中芯国际迎“重大突破”：新高端芯片将步入试产

原标题：追赶美国Intel！中芯国际迎“重大突破”：新高端芯片将步入试产 来源：金十数据

除了中国企业试图赶超国际先进芯片制程，美国巨头英特尔也在加紧行动。

据科创板日报12月4日最新消息，我国芯片生产巨头中芯国际在互动平台公开表示，该司即将在2020年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片，目前这一芯片已经进入客户导入阶段。去年年底，中芯国际率先完成任务，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产工作。

资料显示，对比起一代14nm芯片，二代FinFET N+1芯片的工艺将提升至12nm，晶体管尺寸将进一步缩减，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。据悉，此前业界曾“误传”，中芯国际N+1、N+2工艺项目的可以媲美台积电的7nm芯片工艺。

今年3月，中芯国际也对此澄清道，该司N+1、N+2工艺项目与台积电7nm芯片还有差距，只能说，在功耗以及稳定性能与其相提并论。不过，虽然与国际最先进的芯片代工产商还有距离，但是中芯国际当前取得的成绩实属来之不易。据悉，目前全球能生产14nm芯片的企业仅有6家，中芯国际就是其中之一。

除了中国企业试图赶超国际高端芯片的先进制程，美国芯片巨头英特尔（Intel）也在加紧行动。截至目前，作为美国第一大芯片生产商，英特尔芯片工艺仅发展至10nm，7nm工艺的进展还屡次被延迟。近期，已经有不少业界人士猜测，由于本土产能受限，英特尔很有可能会将美国本土的芯片订单转交给台积电等帮忙代工。

此外，我国芯片产业也在不断传来重磅利好。就在今日（12月4日），中芯国际宣布旗下子公司中芯控股将和国家集成电路基金II、亦庄国联手成立合资企业。据天眼查公布的报告，我国已有超过20000家芯片相关企业拥有自家独有的专利，占比相关企业总量的8.45%。这意味着，我国日后将在芯片专利领域拥有更多话语权。

就连我国北京市也送来了一则“好消息”。据报道，北京市多名代表人士“公开放话”，接下来将力争突破集成电路、关键新材料等“卡脖子”技术，加快推进世界一流重大科技基础设施集群建设。不难想象，当我们集全国的力量攻克生产难题，芯片产业迎来“弯道超车”的一天也就不远了。

文 |廖力思 题 |徐晓冰 图 |饶建宁 卢文祥 审 |徐晓冰

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