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投资者提问：
请问：公司的氮化镓产品相比英诺赛科如何？谢谢。
董秘回答(海特高新SZ002023)：
您好，GaAs衬底主流尺寸为4英寸及6英寸；GaN自支撑衬底以4/6英寸为主。硅晶圆和化合物晶圆，不同尺寸的区别主要在工艺设备要求、成本控制、以及制造效率（比如12吋晶圆每片产出芯片数量高于8吋、6吋等）等方面，谢谢。
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