国科微推出基于东芝XL-Flash NVMe SSD原型机

原标题：国科微推出基于东芝XL-Flash NVMe SSD原型机 来源：中国日报网

日前，全球顶级闪存峰会（２０１９ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙＳｕｍｍｉｔ，ＦＭＳ）在美国硅谷召开。作为业界领先的固态存储控制芯片及整体解决方案提供商，国科微受邀参会并展示了基于东芝ＸＬ－Ｆｌａｓｈ闪存技术的超低延迟ＮＶＭｅＳＳＤ原型机。ＦＭＳ被公认为存储行业的国际顶级峰会，每年来自全球的优秀闪存企业汇聚于此，针对新技术、新产品进行深入的沟通与交流，在头脑风暴中碰撞出存储未来新风向。

一年前的ＦＭＳ２０１８上，东芝重磅推出ＸＬ－Ｆｌａｓｈ闪存技术，这一技术采用超低延迟的３ＤＳＬＣ闪存，使得读取延迟缩减至５微秒之内，相比３ＤＴＬＣ内存仅为后者的十分之一。同时，这一技术极大地提升了固态硬盘的速度与容量，并降低了成本。

洞察技术新潮流，把握市场先发优势，国科微率先投入基于ＸＬ－Ｆｌａｓｈ的ＮＶＭｅＳＳＤ原型机研发，并在ＦＭＳ２０１９上正式亮相。国科微ＮＶＭｅＳＳＤ原型机搭载其ＮＶＭｅ控制器２３１１系列，已能实现低于２０微秒的４Ｋ随机读取延迟，未来将把读取延迟优化到低于１５微秒。

国科微ＮＶＭｅ控制器２３１１系列具有如下主要特性：

●支持Ｇｅｎ３×４接口，最大带宽写入１．４ＧＢ／ｓ、读取２ＧＢ／ｓ

●支持主流ＴＬＣ／ＱＬＣ／ＸＬＦｌａｓｈ，４通道闪存接口，３２个片选信号和４ＴＢ容量

●硬件优化设计，４Ｋ读延时小于１５微秒

●兼容ＯＮＦＩ３．０／Ｔｏｇｇｌｅ２．０和非同步闪存接口

●自主产权、高性能ＬＤＰＣｗ／ＳｏｆｔＤＳＰＥＣＣ算法

●内置国密ＳＭ２／３／４及ＳＨＡ－２５６／ＡＥＳ－２５６加密引擎，支持加密固件

●定制化开发

●支持异常掉电保护、热保护、数据自毁

在ＦＭＳ２０１９上，东芝同时宣布，ＸＬ－Ｆｌａｓｈ将于今年９月出样，明年实现量产。可以预计，随着ＸＬ－Ｆｌａｓｈ的正式量产，国科微这一全新的ＮＶＭｅＳＳＤ也将正式走向市场。

国科微首席运营官周士兵表示：“东芝是全球领先的闪存技术提供商，其３ＤＸＬ－Ｆｌａｓｈ技术代表着闪存市场的新未来，带来更为出色的使用体验。作为东芝长期的战略合作伙伴，国科微将继续深化与东芝的合作，密切跟踪闪存技术市场发展并投入到更先进的技术研发中，在为用户带来优秀固态硬盘解决方案的同时，引领固态硬盘存储市场发展。”