（2001）京会兴字第203号

    有研半导体材料股份有限公司董事会：

    我们接受委托, 对有研半导体材料股份有限公司（以下简称“贵公司”）前次 募集资金截止2000年12月31日的投入情况进行了专项审核。贵公司董事会的责任是 提供真实、合法、完整性的实物证据、原始书面材料、副本材料、口头证言和我们 认为必要的的其他证据；我们的责任是对贵公司董事会提供的资料发表专项审核意 见。我们的专项审核报告是根据中国证券监督管理委员会《上市公司新股发行管理 办法》的要求出具的,所发表的专项审核意见是我们在进行了审慎调查,对贵公司提 供的有关资料实施审核的基础上,根据审核过程中所取得的材料作出的职业判断。

    经审核,贵公司前次募集资金投入使用的有关情况如下：

    一、前次募集资金的数额和资金到位时间

    经中国证券监督管理委员会“证监发行字[1999〗2号文、3号文、4号文”批准, 并经上海证券交易所同意,贵公司于1999年1月21日至2月5日发行人民币普通股6500 万股,发行价格为每股8.54元,应募集资金55,510万元, 扣除发行费用后实际募集资 金净额为人民币54,150万元。该募集资金已于1999年2 月 5 日全部到位并经本所 [1999〗京会兴字第63号验资报告确认。

    二、前次募集资金的使用情况

    （一）前次募集资金的实际使用情况

    经审核,贵公司前次募集的资金实际使用情况如下（单位：人民币万元）：

    　    实际投资项目                   投资金额及投入时间

    　                            1999年      2000年     合计   投资进度

    4、5英寸区熔硅单晶

    生产线技术改造项目            4,416.10    371.00  4,787.10  已完成

    6英寸轻掺杂直拉硅单 

    晶生产线技术改造项目          4,397.40    377.10  4,774.50   95％

    5、6英寸重掺直拉硅单

    晶生产线技术改造项目          4,786.20    246.40  5,032.60   98％

    直径6英寸线切割硅片

    生产线技术改造项目            5,645.50    174.40  5,819.90   98％

    5、6英寸硅单晶抛光片

    抛光和超净清洗产业化项目      4,944.40     99.70  5,044.10   98％

    大直径硅单晶抛光片产业化项目  2,983.60    173.90  3,157.50   90％

    水平砷化镓抛光片生产厂项目      194.49  3,130.51  3,325.00   80％

    项目配套流动资金                        7,583.40  7,583.40

    合计                         27,367.69 12,156.41 39,524.10

    （二）项目效益情况

    上述贵公司前次募集资金实际投入的项目已完成,并产生效益情况如下:

    4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目已于2000年8月完成 , 当年实现收益 267万元；水平砷化镓抛光片生产厂项目一期工程已基本完成,当年实现收益107 万 元。

    （三）前次募集资金实际使用情况与招股说明书承诺投入情况对照如下：( 单 位：人民币万元)

          　                募集资金实际使用情况 

    　    投资项目                     总投资          完工时间

    　                                                         

    　                                                         

    4、5英寸区熔硅单晶生产线           4,787.10         2000.8 

    技术改造项目                                               

    6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产          4,774.50         未完工 

    线技术改造项目                                             

    5、6英寸重掺直拉硅单晶生           5,032.60         未完工 

    产线技术改造项目                                           

    直径6英寸线切割硅片生产            5,819.90         未完工 

    线技术改造项目                                             

    5、6英寸硅单晶抛光片抛光           5,044.10         未完工 

    和超净清洗产业化项目                                       

    大直径硅单晶抛光片产               3,157.50         未完工 

    业化项目                                                   

    水平砷化镓抛光片生产               3,325.00         2000.6 

    厂项目                                                     

    项目配套流动资金                   7,583.40                

    光线用四氯化锗产业化项目                                   

    磷化镓晶片生产项目                                         

    电力增容基础设施改造                                       

    工程项目                                                   

    合计                              39,524.10                

                        招股说明书承诺投入情况                     

         投资项目              项目总投资                  完工时间

                                固定资  流动资   合计               

                                产投资   产投资                     

    4、5英寸区熔硅单晶生产线     4,995.00         4,995.00   1999.12

    技术改造项目                                                    

    6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产    4,873.80         4,873.80   2000.8 

    线技术改造项目                                                  

    5、6英寸重掺直拉硅单晶生     4,873.80         4,873.80   2000.8 

    产线技术改造项目                                                

    直径6英寸线切割硅片生产      4,994.00         4,994.00   2000.2 

    线技术改造项目                                                  

    5、6英寸硅单晶抛光片抛光     4,996.00         4,996.00   1999.12

    和超净清洗产业化项目                                            

    大直径硅单晶抛光片产         2,135.00         2,135.00   2000.8 

    业化项目                                                        

    水平砷化镓抛光片生产         4,998.00         4,998.00   2000.8 

    厂项目                                                          

    项目配套流动资金                      7.583.40 7.583.40         

    光线用四氯化锗产业化项目     4,814.00          4,814.00         

    磷化镓晶片生产项目           4,987.00          4,987.00         

    电力增容基础设施改           4,900.00          4,900.00         

    造工程项目                                                      

    合计                        46,566.60 7,583.40 54,150.00        

    前次募集资金的变更运用情况：

    2001年2月14日贵公司第一届董事会第十六次会议决议并经2001年3月20日召开 的2001年第一次临时股东大会决议通过：拟出资11700 万元与香港凯辉控股有限公 司公司（ULTIMATE VICTORY HOLDINGS LIMITED ）共同组建北京国佳半导体材料有 限公司（暂定名）,该公司注册资本18000万元,公司占65％的股份。 该公司将在北 京市林河工业开发区（3个北方微电子生产基地之一）,建设6 英寸区熔硅单晶生产 基地和重掺砷硅单晶生产基地。原计划投资的光纤用四氯化锗产业化项目、发光二 极管用直径2英寸磷化镓晶片生产项目由于市场变化、原材料、 设备引进等方面的 问题使其难以达到原有的赢利水平,因而予以放弃； 原计划投资的电力增容基础设 施改造项目由于国家政策支持亦不再实施。原计划投资项目金额与现拟投资项目金 额之差补充公司流动资金。

    上述变更事项的决议公告分别刊登于2001年2月5日和2001年3月21 日的《中国 证券报》、《证券时报》《上海证券报》。

    （四）前次募集资金的实际使用情况与贵公司1999 年中期报告及年度报告、 2000年中期报告及年度报告核对如下：(单位：万元)

    1、与1999年中期报告及年度报告核对：

    　   项目名称             1999年中期累计       1999年年末累计

    　                实际使用  中报披露  差异 实际使用  年报披露  差异

    4、5英寸区熔硅

    单晶生产线技术

    改造项目          1,965.71  1,965.71    0  4,416.10   4,416.10   0

    6英寸轻掺杂直拉

    硅单晶生产线技

    术改造项目        1,278.29  1,278.29    0  4,397.40   4,397.40   0

    5、6英寸重掺直

    拉硅单晶生产线

    技术改造项目      3,116.25  3,116.25    0  4,786.20   4,786.20   0

    直径6英寸线切

    割硅片生产线技

    术改造项目          372.00    372.00    0  5,645.50   5,645.50   0

    5、6英寸硅单晶

    抛光片抛光和超

    净清洗产业化项目  3,668.87  3,668.87    0  4,944.40   4,944.40   0

    大直径硅单晶抛

    光片产业化项目      565.08    565.08    0  2,983.60   2,983.60   0

    水平砷化镓抛光

    片生产厂项目          0         0       0    194.49     194.49   0

    项目配套流动资金      0         0       0      0          0      0

    合计             10,966.20 10,966.20    0 27,367.69  27,367.69   0

    2、与2000年中期报告及年度报告核对：

    　    项目名称       2000年中期累计          2000年年末累计

    　                实际使用 年报披露 差异   实际使用   年报披露  差异

    4、5英寸区熔硅

    单晶生产线技术

    改造项目          4,780.40  4,780.40         4,787.10   4,787.10

  6英寸轻掺杂直

  拉硅单晶生产

  线技术改造项目      4,744.80  4,744.80         4,774.50   4,774.50

  5、6英寸重掺直

  拉硅单晶生产线

  技术改造项目        4,853.00  4,853.00         5,032.60   5,032.60

  直径6英寸线切

  割硅片生产线

  技术改造项目        5,738.30  5,738.30         5,819.90   5,819.90

  5、6英寸硅单晶

  抛光片抛光和超

  净清洗产业化项目    5,038.20  5,038.20         5,044.10   5,044.10

  大直径硅单晶抛

  光片产业化项目      3,049.10  3,049.10         3,157.50   3,157.50

  水平砷化镓抛光

  片生产厂项目        3,325.00  3,325.00         3,325.00   3,325.00

  光纤用四氯化锗

  产业化生产项目            0     750.00 －750.00      0          0

  项目配套流动资金         0         0            7,583.40   7,583.40

  合计               31,528.80 32,278.80 －750.00 39,524.10  39,524.10

    差异说明：

    光纤用四氯化锗产业化生产项目由于市场变化, 经董事会决定并经临时股东大 会通过,该项目前期投入调整为自有资金,因而2000年中报披露与实际使用存在 750 万元差异。

    （五）经将上述募集资金的实际使用情况与此次增发申报材料中董事会《关于 前次募集资金使用情况的说明》逐项对照,二者相符。

    三、审核意见

    我们认为, 贵公司董事会《关于前次募集资金使用情况的说明》及相关信息披 露文件中关于前次募集资金使用情况的披露与实际使用情况基本相符。

    四、报告使用范围声明

    本报告仅供贵公司本次增发新股之目的使用,不得用作任何其他目的。 本所同 意贵公司将本专项审核报告作为本次增发新股的必备文件, 随其他申报材料一起上 报,并对本专项报告的真实性、准确性和完整性承担相应的法律责任。

    

北京兴华会计师事务所有限责任公司 注册会计师 陈 荭

    地址：北京市西城区阜成门外大街 　 注册会计师 邓瑞英

    　 万通新世界广场708室 二○○一年五月十日