经公司董事会研究，并经监事会同意，我公司拟变更部分募股资金投向，特作 如下说明：

    一、募股资金使用情况

    我公司于1999年1月 21 日经中国证监会批准， 向社会公开发行人民币普通股 6500万股，每股发行价8.54元，扣除发行费用，共募集资金54150万元。 使用情况 如下：

    实际投资项目完成情况：         单位：万元

    序号       承诺募集资金投资项目              承诺投资额  实际投资额

    1  4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目         4995.0      4780.4 

    2  6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目      4873.8      4744.8 

    3  5、6英寸重掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目   4873.8      4853.0 

    4  直径6英寸线切割硅片生产线技术改造项目        4994.0      5738.3 

    5  5、6英寸硅单晶抛光片抛光和超净清洗工艺项目   4996.0      5038.2 

    6  大直径硅单晶抛光片产业化项目                 2135.0      3049.1 

    7  水平砷化镓抛光片生产厂项目                   4998.0      3325.0 

    8  光纤用四氯化锗产业化项目                     4814.0             

    9  磷化镓晶片生产厂项目                         4987.0             

    10 电力增容基础设施改造工程项目                 4900.0             

    11 项目配套流动资金                             7583.4      7583.4

                                                   54150.0     39112.2


    序号       承诺募集资金投资项目                   备注

    1  4、5英寸区熔硅单晶生产线技术改造项目           完成

    2  6英寸轻掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目        完成

    3  5、6英寸重掺杂直拉硅单晶生产线技术改造项目     完成

    4  直径6英寸线切割硅片生产线技术改造项目          完成

    5  5、6英寸硅单晶抛光片抛光和超净清洗工艺项目     完成

    6  大直径硅单晶抛光片产业化项目                   完成

    7  水平砷化镓抛光片生产厂项目                     完成

    8  光纤用四氯化锗产业化项目                      拟变更

    9  磷化镓晶片生产厂项目                          拟变更

    10 电力增容基础设施改造工程项目                  拟变更

    11 项目配套流动资金                            

    尚未投入的募集资金15037.8万元，部分购买国债和补充流动资金， 其余存放 银行

    二、拟变更项目及变更原因

    1 光纤用四氯化锗产业化项目，计划投资4814万元。由于原材料市场情况发生 变化且开拓国际市场尚需一段时间，导致项目无法很快达到原有的盈利预测水平， 公司决定暂时放弃该项目的实施。

    2 发光二极管用直径2英寸磷化镓晶片生产厂，计划投资4987万元， 用于引进 国际先进的成套设备，新建年产8万片的生产线。由于进口成套设备价格上涨， 超 出原有预算水平，公司决定放弃该项目的实施。

    3 电力增容基础设施改造项目，计划投资4900万元，用于半导体材料产业所需 电力基础设施的建设。由于国家加大对半导体材料产业的投资力度，公司控股股东 北京有色金属研究总院获得国家支持，完成了基础设施建设，为公司的项目建设奠 定了良好的基础，公司决定不再进行基础设施建设。

    公司决定这部分资金投入更好的项目，提高对广大股东的回报。

    三、拟变更的募集资金投向

    由于国家已把半导体材料列为重点支持的产业，北京市政府为推动北方微电子 产业基地的建设，也出台了许多优惠政策。公司为了充分利用国家及北京市的政策 支持，发挥自身的技术优势，迅速扩大除了集成电路用直拉硅单晶以及其他半导体 材料的规模，拟出资 11700 万元与香港凯晖控股有限公司 ULTIMATE VICTORY HOLDINGS LINITED 共同组建北京国佳半导体材料有限公司 暂定名 ，该公司注册 资本18000万元，我公司占65%的股份。

    该公司将在北京市林河工业开发区 3个北方微电子生产基地之一 ，建设6英寸 区熔硅单晶生产基地和重掺砷硅单晶生产基地。

    1、6英寸区熔硅单晶生产基地投资7820万元，其中建筑工程 670 万元， 设备 3780万元，安装工程260万元，其他费用560万元，工程预备费530万元， 流动资金 2000万元。

    区熔硅单晶是电力电子器件的基础材料，在各种电力整流器、晶闸管、超高压 大功率送变电设备、交通运输的大功率电力牵引、UPS电源、 高频开关电源方面有 广泛应用。6英寸的区熔硅单晶片已开始在功率集成电路上得到应用。 市场前景较 好。

    该项目建设期一年，建成后将年产25吨6英寸区熔硅单晶，实现销售收入10080 万元，利税2445万元，投资回收期4.54年。

    项目风险：国外厂商竞争实力较强，应加强国际营销网络的建设。主体设备需 要进口，设备到位时间对项目建设进度影响较大，将直接影响投资收益。

    2、重掺砷硅单晶生产基地投资10079万元，其中建筑工程1561万元，设备4608 万元，安装工程462万元，其他费用971万元，工程预备费760万元，流动资金 1714 万元。

    重掺砷硅单晶用于制作超大规模集成电路开关电源、彩电中的变容二极管、新 型场控高频电力电子器件等，应用越来越广泛。因此，重掺砷硅单晶一直是国际市 场上的紧俏产品。有研硅股目前已完成掌握了该产品的生产工艺。

    该项目建设期一年，建成后将年产40吨重掺砷硅单晶，实现销售收入10830 万 元，利税3720万元，投资回收期4.1年。

    该项目抗风险能力较强。

    以上两个项目我公司均拥有自主的知识产权，已具备成熟的生产经验，加上国 家和北京市的优惠政策支持，将产生较好的经济效益。同时，项目的实施将为公司 进一步优化产业结构，开发集成电路和电力电子器件用硅材料的新市场奠定基础。