天合光能申请单晶硅的制备方法专利，降低单晶硅制备过程中晶裂的概率_新浪财经

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金融界2024年6月13日消息，天眼查知识产权信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“单晶硅的制备方法“，公开号CN202410514371.5，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明涉及单晶硅加工技术领域，具体提供一种单晶硅的制备方法，旨在解决单晶硅制备过程中晶裂概率高的问题。为此目的，本发明的单晶硅的制备方法包括：在主炉室内晶棒脱离熔硅液面至晶棒上升到预设高度的第一阶段，使晶棒处于第一状态，其中第一状态以第一参数值表征；在晶棒进入副炉室后的第二阶段，使晶棒处于第二状态，其中第二状态以第二参数值表征；在晶棒上升至副炉室顶部并处于保温隔离状态的第三阶段，使晶棒处于第三状态，其中第三状态以第三参数值表征；其中，第一参数值、第二参数值以及第三参数值至少部分不同，以降低晶棒在取出过程中的轴向温度梯度。本发明能够降低单晶硅制备过程中晶棒出现晶裂的概率，从而提高单晶硅的品质。

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