东芝投巨资增产大容量闪存

　　合肥报业网

　　新华社电　日本东芝公司目前决定追加2000亿日元投资，到2007年之前将“ＮＡＮＤ”型大容量闪存的产量提高到今年9月的2.5倍。

　　据日本媒体报道，东芝公司已决定在三重县四日市增加投资，扩大目前最先进的300毫 米单晶片的生产规模。目前，该工厂每月可生产约6万枚直径300毫米的单晶片。通常情况下，每枚直径300毫米的单晶片可以生产500多个闪存。

　　东芝公司还计划采用超微细加工技术，进一步增加每枚单晶片可生产闪存的数量，降低生产成本。目前该公司生产的闪存电路宽度为90纳米，采用新技术后将缩小到70纳米。到2007年3月底之前，东芝公司三分之一以上闪存的微细加工程度将达到55纳米。

　　

半导体事业是东芝公司重要的利润增长点。今年第二季度，半导体部门为东芝公司赢得了148亿日元的利润。（来源：合肥报业网）