《科创板日报》5月24日讯（编辑 郑远方）存储芯片市场中，反弹复苏迹象正在浮现。
据韩媒Pulse News报道，多位半导体行业及券商人士透露，三星电子第二季度DRAM芯片出货量有望环比增长15%-20%，一举扭转第一季度环比下滑10%的颓势。
而SK海力士第二季度出货量环比增幅有望达到30%-50%，高于市场预期的20%。
TrendForce近期已调整了今年存储芯片供应过剩率预估值：其中，将DRAM预估值从此前的0.9%调整至-1%，将NAND Flash预估值从3%调降为-0.5%——正值意为供过于求，负值则为相反。这或许也意味着，今年DRAM与NAND Flash有望实现供需平衡甚至轻微供不应求。
业内人士认为，“市场氛围已发生变化”。
这种变化的主因可以归结于两方面，一方面是供给端，自去年以来行业库存持续下降。机构预计，三星电子、SK海力士及美光三大存储芯片龙头的库存天数，将在第四季度降至平均13周，少于第一季度的平均16周。
另一方面是需求端，近日智能手机与服务器厂商对存储芯片供应合同的询问数量有所增长，同时，HBM、DDR5等高附加值DRAM的需求也在持续攀升。
同时，综合台媒今日报道，存储器终端市场风向也出现转变，各家对低档价位的拉货意愿提高。
且存储器厂商部分需求领域已出现急单。DRAM厂商南亚科表示，预期本季DRAM市况有望落底，公司在部分应用领域已出现急单。另外，另一存储厂商华邦近期消费电子、电视、物联网等三大应用客户需求回温，工控相关接单也持续火热，客户急单涌入，而且“量也不少”。
韩国三星证券分析师Hwang Min-seong指出，相较于64GB DDR4，应用于AI服务器的128GB DDR5的价格要贵上10倍，但订单依旧在不断涌进。
在这种情况下，TrendForce近期也上调了32GB DDR5的二季度均价预期，从之前的75美元调高至80-90美元。
值得一提，日前有报告指出，三星电子、SK海力士存储芯片产品价格将提高3%-5%。
兴业证券认为，存储芯片价格跌幅有望收敛，供需关系改善加速价格拐点到来。其中RAM现货价格已接近上轮周期底部，下半年价格有望企稳回升；NAND Flash二季度价格跌幅有望收敛至5%-10%。随着海外多家供应商积极减产，行业下半年价格有望企稳回升。
基于目前供需关系，分析师进一步指出，行业景气度位于底部区域，今年下半年需求有望触底回升。
不过，TrendForce之前另一篇报告曾表示，由于DRAM及NAND Flash供应商减产不及需求走弱速度，部分产品第二季均价季跌幅有扩大趋势。
如今SK海力士提高出货量、三星减产未久再度增加出货，是否会导致行业供需出现变化还有待观察。
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