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美日联手开发32纳米集成电路


http://finance.sina.com.cn 2006年01月19日 09:39 经济参考报

  日本电器业一周要览 栏目主持人:本报驻东京记者 乐绍延

  日本索尼、东芝和美国IBM公司最近宣布将在半导体的微细加工方面加强合作,联手共同开发32纳米的下一代大规模集成电路,并计划在2013年投放市场,与韩国三星电子和美国英特尔公司展开竞争。

  集成电路和存储器半导体的线路越细微,就越能使电器产品更加趋向小型化,并且还能够提高产品的性能。目前,日本主流集成电路半导体线路为90纳米,最尖端的为65纳米。


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