来源：钛媒体
12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”，股票代码02577.HK）在香港联合交易所主板挂牌上市。全球发售4536.4万股H股，发行价格为每股30.86港元，午盘前股价最高涨至每股34港元。
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。其中，氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，与传统的硅基器件相比，氮化镓传导电子的效率，甚至可以高出1000倍。
随着新能源汽车、光伏、储能等产业的高速发展，需求高增长的背后也催生了对半导体的转化效率、成本等多方面提出了更高要求，因此，效率更高、性能更优的氮化镓自然成为国内外多家巨头关注的焦点。作为氮化镓功率半导体领域的龙头企业，英诺赛科此次成功登陆资本市场，有望进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。
翻开公司的招股说明书，包括全球半导体龙头和知名机构在内的多位基石投资人、营收近200%的复合年增长率、4年后超500亿的行业总体市场规模，以及氮化镓功率半导体产能、出货量及收入的多个第一……这一个个亮眼的信息或数据都向行业和投资人们呈现出一个正处在高速上升通道的细分龙头公司样本。
上市加快全球化布局
作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆，同时亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，英诺赛科近几年的发展可谓“飞速”。
根据弗若斯特沙利文的资料，以2023年收入计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体企业中排名第一。
来源：公司招股书不仅仅是2023年，根据招股书披露的数据显示，英诺赛科凭借氮化镓产品在多个应用场景中的渗透，营业收入在近几年实现强劲增长。具体来看，2021年—2023年和2024年上半年，英诺赛科的营业收入分别为人民币0.68亿、1.36亿、5.93亿和3.86亿元，并且海外市场的收入也在不断增长。
值得注意的是，在2021—2023年的3年间公司不仅仅增速有着成倍的提升，复合年增长率更是高达194.8%。
不过骆薇薇博士和英诺赛科似乎并不满足于现状，这从公司提出的“推动全球氮化镓生态发展并提升市场渗透率”的发展战略中就能看出一二。
事实上，英诺赛科正在通过加大产能扩张、持续研发夯实技术壁垒和坚持不懈实施全球化的战略来实现上述目标。而此次上市募资，也是实现公司发展战略中的重要一步。
具体看来，上市募资所得款项净额的约60.0%将用来扩大8英寸的氮化镓晶圆产能(计划在未来5年内从截至2024年6月30日的每月12,500片晶圆增加至每月70,000片晶圆)、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员；约20.0%将用于研发及扩大产品组合，以提高氮化镓产品在终端市场的渗透率；约10.0%将用于扩大公司氮化镓产品的全球分销网络。
不仅仅是业务上的高速成长，往绩记录期内盈利方面英诺赛科近几年的数据也向投资人传递出良好信号。从披露的财务数据上看，英诺赛科从2021年至2024年上半年净亏损正在逐步收窄。
来源：公司招股书如果更深层次分析的话，英诺赛科利润的亏损并非公司核心基本盘的氮化镓产品出现了问题。翻阅招股书不难发现，除了大量持续性的科研及一些营销的投入外，有两项非经营性因素对公司近三年的净亏损影响较大。
首先，是公司在多次融资过程中授予投资者金融工具赎回权产生的负债账面值变动。此类股权融资对净利润产生的影响和公司的日常经营无关，并且只是暂时性影响账面净利润。英诺赛科上市之后，股权融资对净利润产生的亏损影响会自动消除，而这也是香港上市申报和国际会计准则下的正常情况。
除此之外，是用于员工的股权激励计划所产生的开支，而对于技术驱动型公司来说，在核心团队激励上的持续投入也有助于未来长期稳定的发展。
至此，不难预测随着公司成功登陆港交所，完成产线、营销网络的扩张，和研发的持续投入，英诺赛科将进一步扩大在全球氮化镓功率半导体的市场占有率。
技术驱动夯实领导者地位
氮化镓因其材料特性优势，正逐步在功率半导体领域取代传统硅芯片，英诺赛科凭借其8英寸晶圆工艺技术的领先和IDM模式，已经在此次革命性替代中建立了牢固护城河，并成为全球功率半导体革命领导者。
熟悉半导体产业的一定知道，采用IDM模式的公司通常会经历这样的产业周期，即在产能增加的同时，会产生大额前期资本支出及研发开支。此外，这些公司在实现规模经济之前会经历design-in及design-win的过程。因此，前期一定程度的亏损对于这类公司来说是一个发展必经的过程。
英诺赛科也正是如此，自2017年成立以来，公司就持续推进技术创新，而这也是公司得以成为行业龙头的底层逻辑。
招股书披露的数据显示，仅在2021年至2024年上半年，英诺赛科就在氮化镓产品及技术研发上投入合计约17.37亿元。同时，英诺赛科还在苏州建立全球研发中心，定位其为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。截至2024年12月10日，公司在全球有406项专利及387项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。
不仅如此，在人才储备上，英诺赛科还拥有一支由304名专业人才组成的强大研发团队，其中多数成员均为半导体行业资深人士。同时，英诺赛科还前瞻性地布局国际研发资源，在欧洲、北美及亚洲建立研发团队，专注于产品设计、研发及可靠性评估。
此次公司IPO募资也将持续在研发投入，实现在技术上的不断迭代和领先，并夯实优势。随着更多产能的释放和技术的持续驱动，英诺赛科也将巩固在氮化镓功率半导体产品的领导者地位。
也正是凭借公司在技术方面的领先地位和商业化能力，英诺赛科的氮化镓产品已获得广泛的市场认可，并有助于以氮化镓产品为核心的生态系统的发展。
根据弗若斯特沙利文的资料，2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。同时，截至2024年6月30日，以折算氮化镓分立器件计，公司氮化镓分立器件累计出货量超过8.5亿颗，进一步巩固了其行业领导地位。
上市前知名机构、半导体龙头密集入股
领先的技术、不断扩大的市场份额和高增长的市场空间，英诺赛科从成立至今一直受到各方资本的青睐，就连宁德时代创始人、董事长、CEO 曾毓群也以个人投资者的身份入股英诺赛科。
上市在即，更是有全球行业巨头和知名机构，用实际行动表示对于英诺赛科和氮化镓未来发展的认可。
据最新招股书披露，意法半导体旗下STMicroelectronics Limited(“STHK”)、江苏国有企业混合所有制改革基金(有限合伙)(“江苏国企混改基金”)、江苏苏州高端装备产业专项母基金(有限合伙)(“苏州高端装备”)及苏州东方创联投资管理有限公司(“东方创联”)，成为英诺赛科的基石投资者。
来源：公司招股书值得一提的是，全球半导体巨头意法半导体出现在基石投资者的名单中，并且包揽了基石投资总金额的一半，这代表着行业巨头对于氮化镓未来市场的看好。
不过从目前新能源汽车开始规模化使用第三代半导体的趋势来看，意法半导体此举并非无心之举。
“春江水暖鸭先知”，作为特斯拉碳化硅的核心供应商，意法半导体肯定已经感受到了氮化镓替代趋势，而投资英诺赛科则是为接下来氮化镓的大规模使用提前布局。
英诺赛科表示，凭借意法半导体在行业的经验及市场地位以及江苏国企混改基金、苏州高端装备及东方创联的投资经验，基石配售将有助于提升公司的形象，并表明基石投资者对公司的业务及前景充满信心。
不仅如此，12月19日，另外一家半导体知名公司矽力杰股份有限公司（Silergy Corp）（以下简称“矽力杰”）也选择在上市前战略入股英诺赛科，拟以2000万美元购买公司0.5%的股权。
有业内人士指出，作为深耕电源管理芯片10余年的老牌公司矽力杰的此次投资不仅将为双方打开未来技术发展的空间，同时也将扩大双方在各自产品的市场占有率，最终达成从业务到战略层面上的强强互补。
事实上，作为最新一代半导体材料，氮化镓半导体器件近年来已广泛应用于各行各业，与硅及其他半导体材料相比，氮化镓具有高频、电子迁移率高、抗辐射能力强、导通电阻低、无反向恢复损耗等显著优势。根据全球知名专业咨询公司弗若斯特沙利文的资料，预计全球氮化镓功率半导体市场规模将由2024年的32.3亿元，增长到2028年的501.4亿元规模，复合年增长率为98.5%。占全球功率半导体市场的比例将提升至10.1%。
作为未来500亿氮化镓功率半导体市场中的龙头公司，在可预见的未来，英诺赛科将逐步实现盈利，并加快推动全球氮化镓生态发展并提升市场渗透率。
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