鏖战3纳米!三星之后台积电宣布下半年量产,移动芯片先用

鏖战3纳米!三星之后台积电宣布下半年量产,移动芯片先用
2022年08月19日 21:50 澎湃新闻

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  澎湃新闻记者 周玲

  全球半导体制程工艺向3纳米推进。继三星在今年6月30日抢先宣布3纳米量产后,台积电3纳米量产正在稳步推进。

  8月18日,台积电副总监陈芳在2022年世界半导体大会上表示,台积电3纳米芯片将在今年下半年量产,已经对部分移动和HPC(高性能计算)领域的客户交付,如果有手机的客户当下采用3纳米芯片,明年产品就能问世。

  在5纳米芯片量产两年后,芯片工艺推进到又一个关键的工艺节点——3纳米。三星和台积电在3纳米工艺上进行激烈的赛跑,从时间上,三星领先一步,台积电要晚几个月时间。

  今年6月30日,三星率先宣布量产3纳米全环绕栅极(GAA)制程工艺借点,成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

  台积电之前官方多次对外释放的消息是,3纳米将在今年下半年量产。今年6月份,台积电在2022年北美技术论坛上披露,今年下半年量产的N3技术(3纳米),采用FinFET 技术。

  因此说,台积电在3纳米技术上延续使用多年的FinFET架构,相对保守,而三星在3纳米上更具冒险性,选择GAA工艺。GAA工艺被认为改善了FinFET架构某些不足,能提升芯片的功率以及效率。

  台积电在上述技术论坛上宣布3纳米家族技术演进规划,2022-2025年陆续推出N3、N3E、N3P、N3X等制程,后续亦会推出优化后的N3S制程,涵盖智能手机、物联网、车用电子、高性能运算等四大平台应用。

  这也意味着台积电3纳米技术将独吃2到3年,尤其是人工智能芯片和高性能运算芯片,为台积电带来可观的收入和利润。

  三星表示,第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术,大幅提升了效能。5纳米FinFET工艺相比,第一代3纳米工艺可使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%。三星计划推出两种3纳米GAA工艺——3GAE和3GAP。

  全球芯片代工两大巨头在3纳米工艺量产后开始争抢客户。最新的消息显示:尽管三星电子积极争夺3纳米芯片订单,但台积电继续从苹果和英特尔等供应商那里获得3纳米芯片订单承诺。

  日前,台媒报道称,苹果将成为首家采用台积电3纳米工艺的用户,首款产品可能是M2 Pro芯片以及iPhone 15系列将会搭载的A17芯片。

  据DIGITIMES最新援引消息人士的话报道称,三星正在努力扩大其3纳米客户组合,但尚未取得重大进展。但鉴于无晶圆厂供应商的供应商多元化战略,以及对其与三星移动部门业务的其他考虑,高通被视为三星3纳米 GAA 工艺最有可能的客户。

  由于良好的性能以及越来越大的规模优势,台积电近年发展众多客户,包括英伟达、AMD、联发科、高通等众多科技巨头都把订单交给了台积电。

  DIGITIMES报道称,AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达3纳米芯片订单。

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责任编辑:李墨轩

芯片 台积电 三星 GAA
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