紫光集团重启DRAM计划中国芯“反围剿”胜算几何？_新浪财经

　　3700亿！重启DRAM计划，中国芯“反围剿”胜算几何？

　　文：沈思涵石丹

　　紫光准备发力DRAM芯片领域。

　　6月30日，紫光集团宣布组建DRAM事业群，并由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长，高启全担任事业群CEO。

　　公开资料显示，被任命为事业群董事长的刁石京，其曾任工信部电子信息司司长一职，并且在ICT（信息、通讯和技术）行业有着超过30年的工作经验。而担任事业群CEO的高启全，也在半导体和DRAM领域从业接近40年的时间，其更是有“台湾存储教父”之称。

　　此次紫光DRAM事业群的正式确立，将推进紫光DRAM内存的发展进程。但与此同时，国内存储芯片产业距离世界一流行列还有很大的差距，国产DRAM内存崛起之路任重而道远。

　　发力DRAM为哪般？

　　在电子产业链中，有人将存储芯片比喻为行军打仗的粮草，扮演着重要的角色。

　　存储芯片分为闪存和内存，闪存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，内存主要为DRAM。DRAM内存主要用于电脑、手机和部分消费电子产品。

　　紫光集团是国内三大存储芯片的研发企业之一。现阶段，由紫光国产研制的DDR3内存已经在去年正式量产商用，这也是国产DDR3内存技术的一大突破。

　　至于当前市面主推的DDR4内存，国内相关企业还未有正式产品面世。尽管有消息称紫光DDR4内存将于今年年底前推向市场，但截至目前还未有更进一步的消息透露。

　　对此，《商学院》记者向紫光集团相关负责人了解具体详情，对方表示，DDR4内存仍在开发当中，但具体推出时间仍要以公告为准。

　　而在3D NAND闪存领域，紫光旗下的长江存储已经研发并小批量生产了32层3D NAND闪存芯片。据了解，长江存储于2017年研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片，并在去年8月公开发布其XtackingTM技术。

　　虽然距离主流的64层甚至先进的128层3D NAND闪存芯片生产水平还有相当差距，但紫光32层3D NAND芯片的成功研制，依然是国产闪存芯片结构的一大突破。随着这一进展公布，这也给了紫光发力DRAM闪存增添了不少信心。

　　西南证券电子分析师陈杭对此表示，“从整个行业的角度讲，很多存储芯片厂商都会同时发展NAND闪存和DRAM芯片产业，紫光之前一直在做NAND闪存，现在发力DRAM也是符合行业规律的。”

　　事实上，紫光早在2015年就有意进入DRAM领域，但由于当时230亿美元收购美光计划失败，紫光也延后了DRAM内存的开发进度，并先行确立NAND Flash的发展方向。

　　随着DRAM事业群宣布组建，紫光集团也将同步发展3D NAND闪存和DRAM内存，完善产品线布局。

　　“发展国内存储芯片产业既是形势所需，同时我国对于这一芯片的需求量也非常大。现在这一产业基本上被美国和韩国垄断，国内几乎在这一块没有市场。”陈杭指出。

　　国产崛起关键何在？

　　为了缓解国际内存价格动荡局势的影响，国产内存的设计和研发进程正在加快。而在紫光集团之前，国内也已经有长鑫存储、福建晋华等两家企业介入DRAM领域。

　　在这其中，长鑫存储相对发展较为顺利，其预计最快将在今年年底或2020年初实现DRAM芯片量产，初期产量在每月1万片左右。据长鑫存储董事长兼CEO朱一明表示，目前长鑫存储已经拥有多达16000项专利申请。

　　而另一家企业福建晋华则没那么幸运。在2018年10月，由于与美光的专利纠纷，从而导致其被美国商务部列入禁售名单，无法从美国进口任何元器件和技术，不得已陷入停摆。

　　此次禁售事件为国产存储芯片的发展敲响了一声“警钟”。如何解决专利纠纷，在发展技术的同时避开专利“雷达”，成了摆在国产存储芯片厂商面前的一道难题。

　　对此，紫光集团相关负责人向《商学院》记者表示，“专利保护非常关键，我们主要是以创新加合作两条路径解决，其中创新就是说走自主研发方向，加大自主开发的投入力度；合作就是包括并购、购买专利、交叉授权、合作研发等多种途径来解决问题。”

　　除了专利问题之外，要想发展国产存储芯片，在人才、资金等方面的投入力度也极为重要。

　　“存储芯片产业可以说是资产最重的产业之一，单纯开发一条产业线就需要几百亿美金投入，所以说必须有雄厚的资本支持，这是其一。”陈杭指出，“其二就是对于人才的培养和引进，必须从国内的高端学府中设置人才导向，同时在国外去引进相关的优秀人才，这样产业才能发展。”

　　对于现阶段的紫光集团而言，其在武汉、南京、成都三地均有产业基地布局，解决生产DRAM芯片问题不大，不过在良品率方面，紫光仍然需要逐步提高才能扩大产量。

　　“DRAM的产业集中度比NAND闪存要高，这一块的研发难度自然要更大。从技术上说，目前主流的DRAM厂商的工艺水平都已经进入20nm，而紫光目前是针对现有主流DRAM内存进行设计开发，但是其也希望做到20纳米以下制程，这对于紫光在芯片设计和良品率生产上，都提出了很大的挑战。”集邦咨询（TrendForce）电子产业分析人士表示。

　　如何改变既有格局？

　　目前，我国已经是全球第一大DRAM消费国，但基本消费均依靠国外进口，几乎没有自主产能。

　　根据智研咨询的报告显示，2018年我国集成电路进口额达到3120亿美元，其中存储芯片为1230亿美元（同比增长1188.99%），占集成电路进口总额的39%。

　　过度依赖进口除了会面临断供风险之外，对于自身发展也将愈加不利。陈杭认为，对于存储芯片产业，国内只有一个选择，就是加大投入自主研发。

　　不过，要想改变既有格局并不容易，毕竟全球DRAM行业已呈“三足鼎立”之势。

　　据DRAMeXchange统计的数据显示，2018年，三星电子（韩国）、SK海力士（韩国）、美光科技（美国）等三大厂商基本占据全球95%的DRAM内存产量。全球DRAM总销售额同比增长39%，达到历史最高的996.6亿美元。

　　存储器产品有自身的特点，它的设计投入非常大，同时研发周期也很长，当然它的成本和售价也不低。

　　尽管全球DRAM市场基本上均被这三大厂商瓜分完毕，但对于紫光集团来说，并不是没有机会。

　　紫光集团董事长赵伟国曾在去年公开提到，紫光准备在未来10年内投资1000亿美元用于芯片制造领域，现阶段预计将筹资到3700亿人民币。

　　据了解，紫光除了雄厚资本投入，其集团旗下的西安紫光国芯、紫光国微和新华三等在技术和专利上均有不少积累。紫光集团希望借助这些资源基础，推动其在DRAM领域的研发进展。

　　“紫光集团有大量资本支持，在产能规划、人才招募上不会有太大问题。而全球三大存储芯片厂商中，美光的营收市占率相对较低，其一大半市场也依靠中国市场。”集邦咨询分析人士指出，紫光要赶超一线厂商，可以以美光作为目标。

　　不过，该分析人士也预估道，“无论是NAND Flash还是DRAM内存技术，两者研发难度都很高。同时，紫光集团还要考虑DRAM项目落地的问题，其之前已有相关的项目经验，接下来应该迅速完成DRAM新厂的兴建，助力其DRAM事业群的发展。”