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本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，对公告的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏负连带责任。
2005年9月24日，本公司与韩国ＮＩＮＥＸＣＯ．，ＬＴＤ经过友好协商双方签署了关于中止《上海明芯电子有限公司合资经营合同》的协议。为此，本公司决定取消原以10，544万元募集资金投资的氮化镓（ＧａＮ）基高亮度半导体材料及器件的项目，上述资金用途
将按规定在适当时间公告。
上述项目的实施主要是通过投资设立以研发、生产氮化镓（ＧａＮ）基高亮度半导体材料及器件为主业的中外合资企业？？？上海明芯电子有限公司，以建设一条月产5000万只高亮度兰光、绿光、白光ＬＥＤ（发光二极管）芯片和2000万只ＬＥＤ封装产品的生产线。上海明芯电子有限公司成立于2005年7月2日，注册在上海浦东新区张江高科技园区。注册资本为1000万美元，本公司出资510万美元，占注册资本的51％；韩国（株）ＮＩＮＥＸ出资490万美元（包括部分设备和相关专利与技术），占注册资本的49％。合资公司的经营范围为：高亮度ＬＥＤ芯片、封装的研发、生产和销售，技术咨询、培训、服务等。合资企业成立后将重点研发、生产基于ＧａＮ的高亮度ＬＥＤ外延片、芯片，并封装销售。（上述有关内容请详见2004年4月27日的《上海证券报》）。
本公司将于近日办理《上海明芯电子有限公司》的工商注销手续。
特此公告
上海宽频科技股份有限公司
二OO五年十月十四日（来源：上海证券报）
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