本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整,对公告的虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏负连带责任。

    2005年9月24日,本公司与韩国NINEX CO.,LTD经过友好协商双方签署了关于中止《上海明芯电子有限公司合资经营合同》的协议。为此,本公司决定取消原以10,544万元募集资金投资的氮化镓(GAN)基高亮度半导体材料及器件的项目,上述资金用途将按规定在适当时间公告。

    上述项目的实施主要是通过投资设立以研发、生产氮化镓(GAN)基高亮度半导体材料及器件为主业的中外合资企业---上海明芯电子有限公司,以建设一条月产5000万只高亮度兰光、绿光、白光LED(发光二极管)芯片和2000万只LED封装产品的生产线。上海明芯电子有限公司成立于2005年7月2日,注册在上海浦东新区张江高科技园区。注册资本为1000万美元,本公司出资510万美元,占注册资本的51％；韩国(株)NINEX出资490万美元(包括部分设备和相关专利与技术),占注册资本的49％。合资公司的经营范围为：高亮度LED芯片、封装的研发、生产和销售,技术咨询、培训、服务等。合资企业成立后将重点研发、生产基于GAN的高亮度LED外延片、芯片,并封装销售。(上述有关内容请详见2004年4月27日的《上海证券报》)。

    本公司将于近日办理《上海明芯电子有限公司》的工商注销手续。

    特此公告

    上海宽频科技股份有限公司

    二OO五年十月十四日