由浙江天通电子股份有限公司承担、上海大学协助参加的国家863计划"高性能功率 M n Z n铁氧体 T P4D材料"项目,各项研究工作成果已全部达到合同要求,于2004年5月20日通过了由国家科技部组织的专家验收。

    高性能功率MnZn铁氧体TP4D材料具有高 B s、超低功耗( P c v≤250 k w/ m3(100 k Hz,200mT,100℃))等特点,在音频化,小型化,表面贴装化的开关电源中具有广泛应用,市场前景广阔。该课题严格按合同要求,研制了标准样品,并继信息产业部磁性产品质量监督中心测试,全部达到合同要求的性能指标,处于国内领先、国际先进水平。与此同时,课题组还进行了中试线建设和试生产,试制的小批量TP4D材UI、RM、EP等精小、异型、平面化磁芯已得到国内外部分客户使用。本项目重点研究与创新的二次掺杂技术和二次保温技术已申请了专利,如推广应用将大大提高我国铁氧体制造工艺水平。课题同时为公司培养了一支高素质、稳定的研发生产队伍。

    特此公告