本报讯（记者徐建华）三星电子近日在北京宣布，研制开发出了世界首款40纳米工艺 DDR2 （DDR双数据传输模式）动态内存产品。这是其继2005年率先开发出60纳米内存、2006年开发出50纳米内存后的最新产品。

　　据了解，三星电子计划通过本次开发的40纳米1G DDR2内存制造工艺，在今年实现40纳米2G DDR3的开发和量产。从2006年开发出50纳米内存产品到2008年实现量产，用了两年的时间，而此次工艺更为精湛的40纳米产品从开发到量产只用了一年。

　　据介绍，40纳米内存与50纳米产品相比不仅缩小了芯片面积，提高生产率约60%，还强化了低电、低压的特点，使1.2V环境下运行成为可能。因此40纳米内存能够比50纳米1.5V内存减耗30%以上。这样就能够为服务器等高耗能设备提供更加环保高效的能源解决方案。三星电子计划通过抢占40纳米内存市场，一方面开拓强调环保性能的高附加值内存市场，同时为未来开发DDR4等下一代大容量高性能产品打下了良好的基础。

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