韩国三星率先投产６０纳米技术１ＧＢ容量ＤＤＲ２内存...

　　据当地媒体报道，韩国三星电子公司3月1日率先采用60纳米技术批量生产1ＧＢ容量ＤＤＲ2内存芯片。

　　三星电子公司表示，采用60纳米技术生产内存芯片，生产效率可比采用80纳米技术提高40％以上，比目前国际内存业界普遍采用的90纳米技术提高一倍以上。采用60纳米技术批量生产1ＧＢ容量内存，可大幅提高三星电子在内存生产方面的成本竞争力。

　　三星电子公司计划最大范围占领采用60纳米技术的内存市场，今后还将批量生产2ＧＢ容量ＤＤＲ2内存及1ＧＢ容量的ＤＤＲ3内存等内存产品。