数码存储速度再破纪录

　　本报讯（记者王玮）同样拷贝1G内容，USB1.1芯片的数码存储装置一般需要20-40分钟，而在一款最新研制的“优芯2号”芯片控制下，安全读写速度分别提高到20MB/S、16MB/S以上，只需要1分钟左右。据研发者介绍，这款刷新了读写速度的芯片专门针对闪存盘开发，将来也可以将功能延伸到数码相机、MP3等数码存储方面。

　　据了解，目前朗科、联想、爱国者占据闪存盘市场三甲位置，而市场上的闪存盘90%是 基于USB1.1标准，其实际数据传输速度只有500KB/S至1MB/S左右，少数采用USB2.0标准的闪存盘读写速度也不超过10MB/S。同时，用户对数据安全性也提出了新的要求。以往不少闪存盘正在进行数据读写操作时，被非法拔插或突然断电后，有可能造成闪存盘内已存数据丢失、甚至损坏闪存盘。随着读写速度与存储安全性双双提升，闪存盘主流市场在512M以上容量突破方面所遭遇的速度与安全性瓶颈也将不复存在。这也预示着闪存盘行业将从此步入以G为单位的新时代。