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国际金融报记者 范俊 综合报道
三星将成为半导体世界的新主宰，台积电－联电可能在2010年前合并，英特尔将变得不像现在这样重要，AMD-IBM-Chartered将会出现大合并，瑞萨合并东芝，ST合并Freescale，Philips合并Infineon及Micron
美国著名的半导体新闻和分析媒体SiliconStrategies最近发布了2005年甚至更远时间里全球半导体产业的12个预测。
1.IC产业库存仍是问题。2004年半导体产业增长22.7%，2005年增长率为零。尽管单位出货量将上升8%，但2005年IC市场的增长率将为零。目前的库存修正问题将在2005年第一季度或者第二季度初得到缓解。
2.IC产业将大幅后退，IC设备市场下滑。2005年半导体制造设备产业形势糟糕，因资本支出将会下降。目前预测2005年资本支出将比2004年减少12%。这个预测只是一个参考点。2004年IC制造设备市场增长50%，但2005年将下降20%。总体来看，2005年IC产业将大幅后退。在目前市况低迷之际，IC厂商仍在消化产能。
3.全球大量300毫米芯片厂投产。在未来两年内，300毫米芯片厂的产能将上升64%，有26家新的300毫米芯片厂建成并投产。目前，37家正在运行中的300毫米芯片厂中约有1/3生产内存芯片，不到1/3的代工生产芯片，约有1/4在生产逻辑IC。产能最大的300毫米芯片厂是力晶半导体、联电、三星和英飞凌拥有的那些工厂。
4.中国将兴建更多的300毫米芯片工厂。宏力半导体计划在中国兴建一家300毫米芯片工厂，中芯国际目前正在建设一家300毫米芯片工厂，将有更多的公司结盟，并在中国兴建更多的300毫米芯片工厂，如Hynix-意法半导体在中国兴建合资300毫米芯片工厂。飞思卡尔和飞利浦也希望合作兴建一家300毫米芯片工厂。
5.NAND市场竞争激烈。2005年新的NAND厂商将获得可观的市场份额，而现有厂商却面临威胁。在2004年第三季度，三星是最大的NAND闪存供应商，市场份额为54.2%，以下依次是东芝（29.2%）、瑞萨科技（9%）、Hynix（5.1%）、英飞凌（0.6%）和意法半导体（0.4%）。新加入NAND市场的厂商将会夺得市场份额，特别是Hynix将夺走其他厂商的市场，东芝和三星将继续主导该市场，美国美光(MicronTechnology)也会大有斩获。
6.NAND和NOR闪存仍将称雄。SiliconStrategies的LaPedus认为，2005年下一代非易失性内存市场将表现低迷。虽然Altis、IBM、飞思卡尔、英飞凌和其他厂商都宣布推出了MRAM，但2005年MRAM的出货量将接近于零。包括FRAM和OUM在内的其他技术，形势也不会太好。这些新奇的内存芯片难以制造，传统的NAND和NOR闪存仍将称雄一段时间。
7.DVD芯片市场前景不妙。从2004年到2008年，包括DVD播放机和录像机在内的总体DVD半导体销售额将以11%的复合年增率增长，在2008年接近37亿美元。DVD播放机半导体销售额预计将以负21%的复合年增率增长，在2008年达到6.378亿美元。DVD录像机半导体销售额预计将以39.1%的复合年增率增长，到2008年达到30亿美元。目前中国控制经济过热、市场库存过多以及其他问题，将会阻止DVD播放机和录像机半导体销售的增长，这种影响将会持续到2005年。
8.芯片代工厂商合并成潮。马来西亚的两个芯片代工厂商———1stSilicon(Malaysia)Sdn.Bhd.和SilterraMalaysiaSdn.Bhd.将于未来两年内合并。数年来，这两家厂商关于合并的谈判时断时续，但预计未来他们会少说多做。在未来两年内，Mag鄄naChipSemiconductorLtd.可能会买下DongbuAnamSemiconductorLtd.。MagnaChipSemiconductorLtd.以前是HynixSemiconductorInc.的非内存部门。
9.IBM可能出售IC部门。在2010年底以前，IBM可能出售其微电子部门(MicroelectronicsDivision)，它只是一个非核心业务，而且耗费资源。IBM可能出售IC部门和工厂，并与芯片合作伙伴特许半导体成立一个合资企业。特许半导体是新加坡的一家芯片代工厂商。三星电子可能会成为IBM的一个合作伙伴。
10.硅芯片价格持平。单位出货量增长8%至9%，价格下跌幅度不会超过1%至2%，硅芯片产业在下一个10年的年增长率将为7%。每年硅芯片价格下跌幅度将小于12%的年平均值。目前的300毫米芯片价格预计将保持在每平方英寸2.25美元左右，或者每个芯片250美元。
11.45纳米工艺不会及时面世。面向45纳米工艺的沉浸光刻(Immer鄄sionlithography)可能适时出现，但产业将继续努力寻找一个像样的高k解决方案。原子层沉积(ALD)和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)不会准备就绪，能够用于生产高k材料。金属门、FUSI和其他技术是纸上谈兵，将难以应用。小于2.5的低k将仍然是活动目标。45纳米技术难以出现，预期45纳米工艺将在2008年下半年面世。
12.巨头合并半导体产业翻天覆地。主要半导体巨头间即将上演兼并收购浪潮，全球半导体产业将发生翻天覆地的变化。三星将成为半导体世界的新主宰，台积电－联电可能在2010年前合并，英特尔将变得不像现在这样重要，AMD-IBM-Chartered将会出现大合并，瑞萨合并东芝，ST合并Freescale，Philips合并Infineon及Micron，中芯国际和宏力半导体将成中国的发电机，TI－ADIBroadcom－Qualcomm合并成为fabless巨头。
《国际金融报》 (2005年01月04日 第六版)
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