三星电子世界首次成功开发64兆PRAM芯片

　　韩国《朝鲜日报》8月19日报道，三星电子公司最近世界上首次成功开发64兆PRAM芯片。PRAM是目前世界各电子公司正在竞相开发的新一代半导体，它是指在硅片上添加新物质，使制造的半导体同时具有动态随机存储芯片（DRAM）的高速处理性能和静态随机存取存储芯片(SRAM)的断电后信息储存功能。专家估计，今后几年内PRAM市场规模将达460亿美元之大。三星电子方面称，PRAM制造工艺比内存芯片较为简单，在现有的半导体生产线即可生产，具有较强的成本竞争力。据介绍，PRAM主要有如下特点：在2.5伏的低电压下即可工作；写入速 度达到120纳秒（ns）、读出速度为60纳秒（ns）；比SRAM耐用性提高1000倍；85度以上的环境中正常保存数据2年以上。三星电子表示，自2006年起，将开始大批量生产PRAM。

　　（信息来源：驻釜山总领馆经商室子站）