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记者 温卓涛
英特尔共同创始人摩尔提出的摩尔定律曾让计算机行业的专家们担忧不已，担心计算机芯片的发展会最终达到极限。然而英特尔在5日宣布，已经克服了在今后10年中提高芯片效能的最大障碍。英特尔在一份技术报告中称，他们已经成功地替换了芯片的制造材料，可以帮助防止电流泄漏。
英特尔公司宣布，该公司研究人员已发现一种新型的、可以取代30多年来芯片制造业一直使用的制造材料。随着芯片制造商在微小的硅片上安装越来越多的晶体管，漏电现象已成为日益困扰业界的问题。对于半导体行业，这一突破性的创新无疑是一项重大成就。
利用这种新型材料，英特尔研究人员已经开发出创记录的高性能晶体管。这两种新材料被称为高k，一种栅极电介质（high-kgatedielectrics），以及另一种称为金属栅极的材料。“栅极（gate）”是晶体管的一部分，它决定着晶体管的开、合状态；而栅极电介质则是附着在栅极下面的一层很薄的绝缘体。新材料有助于彻底减少晶体管因漏电而减少电压的现象和产生的不必要的热量。英特尔说，新的高k材料在减少漏电的能力上将比二氧化硅提高100多倍。
英特尔技术与制造事业部高级副总裁兼总经理周尚林说：“众所周知，散热和漏电现象多年来一直是半导体行业发展的根本障碍，如果我们还是紧紧依靠今天的晶体管材料和结构，将无法解决这一问题。我们的产业长期以来所面临的挑战是：随着二氧化硅达到它的基本极限，业界却始终难以发现和集成出新的材料来取代它，有些人甚至把这种挑战比作芯片的‘心脏移植’。”
根据摩尔定律，芯片上的晶体管数量每隔两年便增加一倍，它将带来更多的特性、性能的提升以及晶体管成本的降低。要保持这一创新速度，晶体管的尺寸必须持续减少，直至达到前所未有的更小尺寸。然而，由于不断增加的功率和热量问题，利用当前的材料很难满足这种减少晶体管尺寸的需求。因此，要让摩尔定律在未来仍然适用，使用新材料和创新的晶体管结构势在必行。
不过，为了避免过早向竞争对手泄漏机密﹐英特尔并未透露新的芯片材料的名称，在2007年之前这些材料也不会投入到芯片生产中去。因此，一些竞争对手对英特尔声明颇为质疑。
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