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全球领先的高密度嵌入式存储器存供货商MoSys公司与全球领先的芯片代工厂之一--中芯国际集成电路制造有限公司日前共同宣布，MoSys公司的1T-SRAM-R技术(含TransparentErrorCorrection)成功通过中芯国际0.13微米制程验证。此次验证成功，使中芯国际能为其客户提供另一种优质的高密度存储器，从而扩展了两公司之间现有的合作。
MoSys的0.13微米高密度1T-SRAM-R存储器通过中芯国际的硅验证，这可以给我们的客
户提供通过中芯国际0.18及0.13微米逻辑制程验证的特别存储器技术。中芯国际市场销售部副总宋建迈说。通过TEL1T-SRAM-R不仅可以使我们的客户节省额外的产品开支，还能显著地减少设计风险并且使用MoSys的独特内存可以帮助客户提高复杂的SoC设计能力。
资料显示，MoSys公司成立于1991年，该公司在纳斯达克挂牌，主要为半导体公司开发，转让，销售先进的存储器技术。MoSys获得专利的1T-SRAM技术是高密度，低功耗，高速度与低成本的结合，这是其他现有的存储器技术所无可比拟的。与传统的4或6晶体管静态存储器相比，1T-SRAM存储器里使用单一晶体管位单元使该技术在同样的标准逻辑生产过程中具备更高的密度。上海证券报记者王璐
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