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韩国三星电子公司最近开发成功大容量纳米半导体———60纳米8千兆位闪存。据称这是目前世界上容量最大的纳米半导体。
据韩国各大媒体报道，60纳米8千兆位闪存用直径相当于一根头发丝两千分之一的电路线制成，其成品外形类似16兆位半导体卡，规格仅有半个名片盒大小，但其储存容量很大。一块8千兆位闪存可存储6．4万张（版）报纸的文字信息，或存储10多部ＤＶＤ电影，或40
00首ＭＰ3歌曲。100块8千兆位闪存即可将韩国最大的图书馆———汉城大学图书馆拥有的200万册藏书全部存储进去。8千兆位闪存可用作手机、数码相机、数码摄像机的主存储器。
闪存是一种新型的半导体芯片，其主要特点是在电器断电时能保存数据不丢失。闪存是生产手机、数码相机等必不可少的元件。纳米技术的精度决定了闪存容量的大小，装在半导体基板上的电路线直径越小，闪存容量就越大。
三星公司1999年和2000年分别开发成功256兆位和512兆位闪存。2001年，三星公司首次采用纳米技术开发成功100纳米千兆位闪存。2002年和2003年，三星公司又先后推出90纳米2千兆位和70纳米4千兆位闪存。
三星公司此次同时推出80纳米2千兆位动态随机存储器（ＤＲＡＭ），这种存储器具有极大的信息存储功能，一般用于超高速大容量服务器。正在研发的第四代手机即智能手机就将采用这种80纳米2千兆位动态随机存储器。（张锦芳）（来源：金羊网）
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