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新浪(行情 论坛)财经讯 美国东部时间12月6日09:01(北京时间12月6日22:01)消息，IBM(行情 论坛)日前宣布，该公司已经研发了一种可以将芯片中标准晶体管的性能提高三倍的技术，这一方法与传统的CMO(行情 论坛)(行情 论坛)S技术相兼容，为实现芯片性能和电子系统性能的进一步提高迈出了重要一步。
这一技术主要是在晶体管的关键部位增加一层锗，而那里正是电流通过的“通道”。
一直以来，人们都知道锗比硅的导电性要强，IBM的这一技术将进一步提高芯片的性能。最近，半导体产业都希望通过提高晶体管的电流传输能力来改善电路的性能，其中一个例子就是很多公司所采用的硅层。锗层的应用要比硅层更加有效，但是直到现在为止，大家还没有找到将锗层与传统电路制作技术相结合的方法。现在，IBM证明的新方法可以使用与CMOS兼容的技术在芯片的某些部位铺设锗层。
在集成电路的关键部位引入锗等新材料为提高芯片性能提供了新的方法，这在需要将芯片越做越小的今天显的尤为重要。IBM相信，这种新技术可以进一步提高采用32纳米及更小电路的芯片的性能。IBM计划在即将于美国圣弗朗西斯科举行的国际电子设备大会(IED(行情 论坛)M)上公布有关这一技术的详细情况。(烈日）
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