Varian Semiconductor状告Nissin Ion专利侵权_CBS_财经纵横


	新浪首页 > 财经纵横 > CBS > 正文

Varian Semiconductor状告Nissin Ion专利侵权

http://finance.sina.com.cn 2004年06月26日 05:00 新浪财经

　　【CBS.MW洛杉矶6月25日讯】周五盘中，总部设在麻省Gloucester的Varian Semiconductor(VSEA)称，该公司对日本的Nissin Ion Equipment提起了专利侵权诉讼，指控该日本公司的中电流源离子布植机侵害了Varian的专利权。

　　Varian要求德州法庭发布停止侵权禁令并判决对方赔偿损失。

	美女啦啦队招募中	天堂II初章战乱魅影
	抢注旺铺得超值礼物	新浪免费邮箱升到30兆

　　Varian总裁欧内斯特-哥德沙尔克(Ernest Godshalk)在声明中称，该公司同时正在进行欧洲的侵权案调查。

　　截至美东时间周五下午1:56，Varian Semiconductor(VSEA)股价上涨了1.30美元，至36.11美元，涨幅为3.73%，成交量97万8905股。